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978-3-8440-5456-9
48,80 €
ISBN 978-3-8440-5456-9
Softcover
202 pages
43 figures
279 g
21 x 14,8 cm
German
Thesis
September 2017
New publication
Andreas Hürner
SiC-BIFET
Ein bipolarer SiC-Feldeffekttransistor für das Mittelspannungsnetz
Diese Arbeit befasst sich schwerpunktmäßig mit der Erforschung und Bewertung der Durchlasseigenschaften von 10kV-SiC-BIFETs mit einer nominellen Sperrfestigkeit von 10kV. Hierzu wurden 10kV-SiC-p-BIFETs mit p-dotiertem Kanal- und Driftgebiet und 10kV-SiC-n-BIFETs mit n-dotiertem Kanal- und Driftgebiet hergestellt und elektrisch charakterisiert. Es konnte dabei erstmals nachgewiesen werden, dass sich auch in einer Spannungsklasse von 10kV, mit diesem Bauelementkonzept eine für bipolare Leistungsschalter typische Modulation des Driftgebietes erreichen lässt.
Keywords: SiC; Leistungshalbleiter; Bipolar; JFET
Erlanger Berichte Mikroelektronik
Edited by Prof. Dr.-Ing. H. Ryssel and Prof. Dr. rer. nat. L. Frey, Erlangen
Volume 2017,1
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The book Andreas Hürner - SiC-BIFET
Ein bipolarer SiC-Feldeffekttransistor für das Mittelspannungsnetz
(ISBN: 978-3-8440-5456-9) was published by Shaker Verlag.
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The series Erlanger Berichte Mikroelektronik is published by Shaker Verlag.
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52353 Düren
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  www.shaker.eu
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