Catalogue : Details
 | Christoph WeißHöhenstrahlungsresistenz von Silizium-Hochleistungsbauelementen | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| ISBN: | 978-3-8440-3464-6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Series: | Selected Topics of Electronics and Micromechatronics Ausgewählte Probleme der Elektronik und Mikromechatronik Herausgeber: Prof. Dr. Gerhard Wachutka †, Prof. Dr. Doris Schmitt-Landsiedel † and Prof. Dr. rer. nat. Gabriele Schrag München | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Volume: | 46 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Keywords: | Leistungsbauelemente; Stoßionisation; Streamer; Höhenstrahlung; Silizium | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Type of publication: | Thesis | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Language: | German | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pages: | 108 pages | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Figures: | 45 figures | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Weight: | 158 g | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Format: | 21 x 14,8 cm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Binding: | Paperback | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Price: | 45,80 € / 57,25 SFr | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Published: | March 2015 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| Abstract: | Halbleiter-Hochleistungsbauelemente können durch den Einschlag eines kosmischen Teilchens wie z.B. eines Neutrons zerstört werden. In dieser Dissertation wird ein physikalisches Modell vorgestellt, das - basierend auf numerischen Simulationen - das mikroskopische Verhalten im Inneren von Silizium-Hochleistungsbauelementen beschreibt und dabei ein vertieftes Verständnis des Fehlermechanismus liefert. Das Modell ermöglicht eine prädiktive Fehler- und Robustheitsanalyse verschiedener Bauelement-Designs. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
