Catalogue : Details
 | Christian StrengerHerstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISBN: | 978-3-8440-3495-0 | ||||||
| Series: | Erlanger Berichte Mikroelektronik Herausgeber: Prof. Dr.-Ing. H. Ryssel and Prof. Dr. rer. nat. L. Frey Erlangen | ||||||
| Volume: | 2015,2 | ||||||
| Keywords: | Transistor; SiC; EELS; MOSFET | ||||||
| Type of publication: | Thesis | ||||||
| Language: | German | ||||||
| Pages: | 194 pages | ||||||
| Figures: | 38 figures | ||||||
| Weight: | 287 g | ||||||
| Format: | 21 x 14,8 cm | ||||||
| Bindung: | Paperback | ||||||
| Price: | 48,80 € / 61,00 SFr | ||||||
| Published: | March 2015 | ||||||
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| Abstract: | Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Herstellung und der Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldefekttransistoren auf der Siliciumseite von 4H-Siliciumcarbid (4H-SiC). |