Das Thermische Laserstrahlseparieren (TLS) ist eine auf Laser basierte Trenntechnologie für die Halbleiterindustrie, bei der durch thermisch induzierte ...
Diese Arbeit befasst sich schwerpunktmäßig mit der Erforschung und Bewertung der Durchlasseigenschaften von 10kV-SiC-BIFETs mit einer nominellen Sperrfestigkeit ...
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Neue Halbleitermaterialien wie Siliciumcarbid (SiC) haben das Potential, Verluste in leistungselektronischen Systemen stark zu verringern. Bei Siliciumcarbid ...
Gedruckte Elektronik stellt für bestimmte Anwendungen eine interessante Alternative zur konventionellen Halbleitertechnologie dar. Speziell für Massenartikel, ...
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Das Ziel dieser experimentellen Arbeit ist die prozesstechnologische Umsetzung einer Trench-MOSFET-Technologie auf der Silicium-Seite von 4H-Siliciumcarbid ...
Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Herstellung und der Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldefekttransistoren auf ...
Neue Halbleiter-Generationen mit größerer Bandlücke, wie beispielsweise Siliciumcarbid (SiC), haben das Potenzial die Leistungsdichte zu steigern und ...
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Elektronische Schaltungen aus Siliciumcarbid (SiC) können aufgrund der großen Bandlücke des Materials bei Temperaturen oberhalb von 300°C betrieben ...
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Die vorliegende Arbeit beschreibt die Entwicklung eines neuen, modularen Steuerungskonzepts für die Integration und Steuerung von Messtechnik in der Halbleiterfertigung. ...
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